Les memristors remplaceront avantageusement les mémoires flash

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Les chercheurs d’ETH Zurich ont avant tout caractérisé de manière très détaillée les modes de fonctionnement du dispositif grâce à des études électrochimiques. «Nous avons pu identifier les éléments qui transportent l’électricité et comprendre leur rapport avec les trois états stables, note la chercheuse. Il s’agit de connaissances précieuses en sciences des matériaux qui seront utiles pour affiner les modes d’opération de la mémoire et augmenter son efficacité.»

Séquence vidéo de R. Stanley Williams du laboratoire HP donnant une conférence sur le thème « memristor technology» à UC San Diego Center for Networked System's Winter Research Review en 2010.

Le quatrième composant

Le principe du memristor avait été décrit pour la première fois en 1971, comme le quatrième composant élémentaire des circuits électroniques (aux côtés de la résistance, du condensateur et de la bobine). Dès les années 2000, des chercheurs ont proposé que certains types de mémoires résistives pourraient fonctionner comme des memristors. <

(*) Note: M. Kubicek, R. Schmitt, F. Messerschmitt and J.L.M. Rupp (2015), Uncovering Two Competing Switching Mechanisms for Epitaxial and Ultra-Thin Strontium Titanate-Based Resistive Switching Bits, ACS Nano, doi/10.1021/acsnano.5b02752.

Source: Fonds national suisse, Wildhainweg 3, Case postale 8232, 3001 Berne, tél. 031 308 23 87, com@fns.ch, www.fns.ch

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